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半導體工業常用的混合氣

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半導體工業常用的混合氣

發布日期:2023-07-14 作者: 點擊:

  1、外延(生長)混合物:在半導體工業中,在精心選擇的襯底上選擇化學氣相淀積的方法,生長一層或多層材料所用的氣體稱為外延氣體。包頭氣體常用的硅外延氣體包括二氯二氫硅(dcs)、四氯化硅(sicl4)和硅烷。主要用于外延硅積累、氧化硅膜積累、氮化硅膜積累、太陽能電池等光感受器的非晶硅膜積累。外延是一種單晶材料在襯底表面積累和生長的過程。


  2、化學氣相積累(cvd)用混合氣:cvd是利用揮發性化合物,通過氣相化學變化淀積某種單質和化合物的一種方法,即應用氣相化學變化的一種成膜方法。根據成膜類型,使用的化學氣相積累(cvd)氣體也有所不同。


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  3、混合混合氣體:在半導體設備和集成電路制造中,電子氣體和微信號bluceren咨詢。將一些雜質與半導體材料混合,使材料具有所需的導電類型和一定的電阻,以制造電阻和pn結、埋層等?;旌线^程中使用的氣體稱為混合氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等?;旌显春瓦\輸氣體(如氬氣和n2)通?;旌显谠垂裰??;旌虾?,氣流繼續注入擴散爐,并在晶片周圍沉積在晶片表面,從而與硅發生反應,形成混合金屬并遷移到硅中。


  4、蝕刻混合物:蝕刻是蝕刻基板上的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜等。),并保留光刻膠覆蓋的區域,以確保在基板表面獲得所需的圖像圖形。蝕刻方法包括濕化學蝕刻和干化學蝕刻。干化學蝕刻中使用的氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體一般為氯化物氣體(鹵化物),如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。


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